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APT10M11JVR中文资料

APT10M11JVR图片

APT10M11JVR外观图

  • 大小:70.8KB
  • 厂家:ADPOW [Advanced Power Technology]
  • 描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:POWER MOS V?
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):144A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):450 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):10300 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):450W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 供应商器件封装:ISOTOP?
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

APT10M11JVR供应商

更新时间:2023-01-05 03:57:56
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